Atomlagenabscheidung (ALD) ist ein Verfahren zur Beschichtung von Substraten mit Dünnschichten in atomarer Präzision. Da sich die Strukturgrößen von Halbleiterchips kontinuierlich verkleinern, stoßen herkömmliche Abscheidungstechniken an ihre Grenzen. Das Aufbringen ultradünner Schichten im Nanometerbereich erfordert die Atomlagenabscheidung (ALD), die es ermöglicht, Materialien Schicht für Schicht – eine Atomlage nach der anderen – abzulegen. Membranventile der ALD-Serie werden eingesetzt, um während des Abscheidungsprozesses präzise Dosen von Gasen zu dosieren, wie sie bei der Herstellung von Halbleiterchips benötigt werden.

Merkmale

Ultralange Lebensdauer
Hohe Cv-Konstanz und -Stabilität
Kein Totraum im Strömungskanal
Schnelles Ansprechverhalten mit einer Ventilöffnungs- bzw. -schließzeit von weniger als 5 ms.
Standard- und Thermovarianten wählbar; die Thermovariante besitzt eine Betriebstemperatur von bis zu 200 °C (392 °F)
Bei Ventilen mit Magnetventil ist das Magnetventil kreisförmig um den Antrieb drehbar, um eine einfache Positionsanpassung zu ermöglichen.

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